pco.edge 4.2 bi UV 基于制冷型背照式sCMOS

发布时间:2021-12-10 13:32:20

pco.edge 4.2 bi UV基于制冷型背照式sCMOS技术的紫外成像相机之王者多年来,能为您提供更好的紫外成像相机一直是我们的使命。今天,借助最新的pco.edge 4.2 bi UV,我们可以再上高峰:此相机系统基于我们久经市场考验而备受信任的pco.edge制冷型sCMOS相机系列的技术,采用了最新的背照式成像芯片,而该相机内部特殊的光信号输入窗口轻而易举地在紫外波长范围内实现了高QE


pco.edge 4.2 bi UV
基于制冷型背照式sCMOS技术的紫外成像相机之王者

多年来,能为您提供更好的紫外成像相机一直是我们的使命。今天,借助最新的pco.edge 4.2 bi UV,我们可以再上高峰:此相机系统基于我们久经市场考验而备受信任的pco.edge制冷型sCMOS相机系列的技术,采用了最新的背照式成像芯片,而该相机内部特殊的光信号输入窗口轻而易举地在紫外波长范围内实现了高QE

方便灵活的制冷系统采用风冷或水冷将图像传感器冷却到最低至-25 °C,而且制冷温度是可以通过软件调节的。在这样一个温度下,暗电流低至0.2 e-/pixel/s

可根据您的应用选择适用于紫外可见光波段窗口玻璃。它具有2048 x 2048的高分辨率6.5 x 6.5 μm²的像元尺寸,配合高达95 %的量子效率,保证了图像的高质量。并且,pco.edge 4.2 bi相机具有一个强大的USB 3.1数据接口,进一步增强了其性能表现。

图片关键词

  • 190 nm - 1100 nm光谱范围

  • 16 bit背照式sCMOS成像芯片技术

  • 方便灵活的制冷系统可低至-25 °C

  • 分辨率2048 x 2048像素

  • 像素尺寸6.5 x 6.5微米

  • 量子效率可达95 %

  • 40 fps @ 4.2百万像素分辨率

  • 26 667 : 1动态范围

  • 暗电流可低至0.2 e-/pixel/s

  • 滚动快门

  • 曝光时间范围: 10 μs到20 s

  • USB 3.1 Gen1接口


QE curve pco.edge 4.2 bi

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