邀请函 - SEM晶体缺陷定量定性分析技术(cECCI)研习班

5月31日，蔡司邀请德国马普所显微表征领域专家Stefan Zaefferer 博士，共同举办“SEM晶体缺陷定量定性分析技术”大中华区研习班。作为国际知名科学家，Dr. Stefan不仅将为我们介绍专门用于SEM中位错、层错等晶体缺陷定量定性分析的cECCI方案，还将进行该技术的操作教学与培训。

清晰的晶体缺陷表征与分析通常被认为只能在透射电镜(TEM)中完成，由此对制样流程、拍摄技巧(双束条件)都存在较高要求，可表征范围也较小。

而cECCI是可以在扫描电镜(SEM)中实现清晰的晶体学缺陷快速定量定性与分析的技术，它基于晶格错排造成的背散射信号差异来实现，同时兼具了SEM中制样简单（仅需抛光）、可表征范围大（整个样品），TEM中可统计位错密度、确定柏氏矢量的优点。在此基础上，Dr. Stefan大大简化了cECCI的操作流程，可以快速获得双束条件，降低了该技术的上手门槛，有助于帮助金属、陶瓷、半导体等领域的用户开展快速而准确的晶体缺陷分析。

欢迎全国存在快速晶体缺陷表征与分析需求的相关领域研究学者，报名参加此次研习班。